德國弗勞恩霍夫協(xié)會太陽能系統(tǒng)研究所（Fraunhofer ISE）與該研究所于2015年7月創(chuàng)辦的風險企業(yè)NexWafe宣布，開發(fā)出了能以原來約1/2的成本制造單晶硅太陽能電池硅晶圓的技術。這樣可使太陽能電池模塊的制造成本削減20％。

以前制造單晶硅太陽能電池用硅晶圓時，要耗費大量電力并經過很多工藝。具體而言，首先要利用氫氣（H2）等還原由HSiCl3等氯硅烷化合物構成的氣體，制造多晶硅；然后將多晶硅放在1450℃的高溫下融化，做成單晶硅錠；最后再利用一種特殊線鋸——金剛石線鋸切薄，從而制成單晶硅。

切薄時會產生很多切屑。據(jù)Fraunhofer ISE介紹，單晶硅大約有1/2以上會變成切屑。現(xiàn)在，單晶硅錠的價格在2000日元/kg左右，其中1000日元/kg以上會變成切屑。

此次開發(fā)的技術直到在三氯硅烷中混合H2，都跟原來的方法相同。不過，此后是利用化學氣相沉積法（CVD）在實施了表面多孔質化處理的硅基板上使單晶硅膜外延生長。當單晶硅膜達到足以作為晶圓的厚度之后，以機械方式剝離作為基板的硅基板。這個硅基板可重復利用數(shù)十次。

Fraunhofer ISE等將利用這種方法制造的單晶硅晶圓叫做“EpiWafer”。由于不產生切屑，因此可使硅晶圓的制造成本減半，使融化多晶硅等所需要的電力削減80％。太陽能電池模塊的制造成本可以削減20％。

另外，采用這種方法還容易制造出使用金剛石線鋸時切屑過多、事實上很難實現(xiàn)的150μm厚的硅晶圓，可以實現(xiàn)單晶硅薄膜太陽能電池。

NexWafe公司利用EpiWafer試制了太陽能電池，已確認可獲得高達20％的轉換效率。該公司計劃2017年初啟動EpiWafer試驗工廠，2017年下半年開始以每年最大250MW的規(guī)模量產EpiWafer。（記者：野澤 哲生）