“歷經(jīng)幾十年發(fā)展，中國已成為全球集成電路產(chǎn)業(yè)增速最快、市場需求最大、國際貿(mào)易最活躍的地區(qū)。產(chǎn)業(yè)化進程正在開始，還需不斷努力。”在近日舉行的“浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室——黃河水電集成電路硅材料聯(lián)合研發(fā)中心”（以下簡稱聯(lián)合研發(fā)中心）揭牌儀式上，中國科學(xué)院院士楊德仁表示，當前和今后一段時期是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機遇期和攻堅期。

縱觀現(xiàn)狀，我國高端集成電路制造骨干企業(yè)發(fā)展迅速，但所需的集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)材料——電子級多晶硅和電子級特種氣體仍然依賴進口,亟待進行相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)補短板。針對目前半導(dǎo)體硅材料行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀，楊德仁在接受科技日報記者專訪時表示，我國半導(dǎo)體硅材料一類是用于太陽能光伏的硅材料，一類是微電子所用的硅材料。在太陽能光伏硅材料方面，我國產(chǎn)業(yè)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)規(guī)模在國際上均處于第一梯隊的領(lǐng)先地位。而微電子硅材料研發(fā)生產(chǎn)尚處于第二梯隊狀態(tài)，與國際最好水平還有一定差距。“目前我國已完成或滿足了6英寸、5英寸及以下小尺寸集成電路硅片的產(chǎn)業(yè)化需求；8英寸硅片關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)突破，目前10%—15%的集成電路用8英寸硅片實現(xiàn)了原產(chǎn)化，12英寸硅片生產(chǎn)技術(shù)剛剛?cè)〉猛黄啤?rdquo;楊德仁說。

中國電子材料行業(yè)協(xié)會原秘書長袁桐也認為，我國電子材料行業(yè)發(fā)展行業(yè)規(guī)模已達年產(chǎn)值4000億元。但目前我國電子信息新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展中存在缺少統(tǒng)籌規(guī)劃和支持、缺少技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)、下游需求旺盛但多數(shù)關(guān)鍵產(chǎn)品嚴重依賴進口、創(chuàng)新能力不足、高端產(chǎn)品自給率不高、產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合不緊密、產(chǎn)業(yè)化能力不強等問題，攻克技術(shù)難題勢在必行。

在此形勢下，為提升我國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力，聯(lián)合研發(fā)中心應(yīng)運而生，將圍繞集成電路硅材料和高純特種氣體等國家重大需求的關(guān)鍵技術(shù)開展研究，助力更好更快地推進科技創(chuàng)新并盡早轉(zhuǎn)化科研成果。